目前，重復定位精度達到±50nm的超精密氣浮平臺研發成功了，對于半導體晶圓的制造無疑是個好消息，納米級氣浮平臺在半導體制造中，應用在晶圓切割、檢測、封裝等工藝環節，達到了±50nm超高精的重復定位精度，是晶圓制造中難度比較高的底層技術。

　　氣浮平臺是由空氣軸承結合電控元件構成的精密位移平臺，主要構成部分包括底座、導軌、氣浮滑塊和頂板等，是作為精密定位的部件，承載需要作精密定位的零件或工具。它采用直線電機驅動，定位平臺的懸浮工作原理是在供氣孔道中通入一定氣壓的壓縮空氣，氣體經過節流孔在氣浮滑塊與導軌、底座的相對面中形成10μm左右的氣膜并產生一定的懸浮力，氣膜支撐氣浮滑塊與頂板組成的滑臺作一維直線運動，當懸浮力與實驗平臺重量平衡時，這個運動平臺處于穩定懸浮狀態。

　　相對于傳統機械接觸式滑軌，氣浮導軌靠氣體靜壓將氣浮模塊支撐起來，而氣體與氣浮模塊之間的摩擦力幾乎為零，可以忽略不計。另外，氣浮模塊和氣浮導軌之間具有一定彈性，可降低對氣浮導軌表面的加工精度，方便加工制造。

　　重復定位精度達±50nm的氣浮平臺采用“濟南青”石料經精密機械加工，結構精密，質地均勻堅硬，耐磨性強，形態極為穩定，強度大，硬度高，無磁性反應，無塑性變形，是理想的基準面，可以獲得高而穩定的精度。

　　它的的特點和背景介紹

　　產品特點：

　　1.非接觸式氣浮結構。

　　2.高直線、平面度指標。

　　3.精密光柵尺閉環反饋。

　　4.外觀結構緊湊。

　　納米級氣浮平臺晶圓檢測系統解決方案：

　　需要精密定位的工藝環節，都需要高精度的電機驅動控制和導軌。晶圓切割要在極短的曝光時間內完美定位，就需要靠精密機械運作和實時的定位校正，納米級超精密氣浮平臺借由非接觸式氣浮導軌結構、直線電機驅動的移動方式，高平面度指標保障了理想的切割直線，同時可以實現高動態響應和快速位置整定，能達成極高速的運動和持久穩定的運作，在半導體晶圓切割等精密應用中，是理想選擇。

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